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基于多子带Boltzmann方程直接解法的半导体器件数值模拟

来源:湖南师范大学新闻网 作者:彭鹤鸣 发布时间:2018年11月09日 17:09 点击:

报告题目:基于多子带Boltzmann方程直接解法的半导体器件数值模拟

报告人:卢朓博士(北京大学)

报告时间:2018年11月10日16:00-17:00

报告地点:数统院307报告室

摘要:半导体器件已经进入了纳米时代,数值模拟在新型器件的设计中起着越来越重要的作用。我将介绍我们开发的基于多子带Botlzmann方程直接解法的器件模拟平台。该平台不仅适用用硅半导体材料,还适用于III-V族化合物材料,能够研究散射机制、晶向变化和沟道长度等对载流子输运特性的影响。 基于该平台,我们还提出了一套校准漂移扩散模型的方法,大幅提升了商用模拟软件中漂移扩散模型对纳米尺度III-V族半导体期间特性模拟的准确度。 然后,我介绍一下散射算子的保结构离散,也就是使离散所得的散射矩阵具有下面的性质:0是散射矩阵的特征值,而且代数重数是1,其它的特征值的实部都小于0,而且0特征值具有一个分量全部为正的特征向量。我们矩阵不是非负矩阵,但是所得的结果和优美深刻的Perron-Frobenius 定理类似。在这次报告中,我将简单讨论二者的区别和联系。

报告人简介:

卢朓,2004年获北京大学计算数学专业博士学位(导师应隆安、张平文)。北京大学数学学院副教授、博士生导师,北京计算数学学会常务理事。能源与环境大数据研究中心研究员。北京大学应用物理与技术研究中心研究员。从事色散媒质的高阶数值方法,纳米半导体器件的建模、分析和数值模拟,量子动理学方程的数值方法和分析等方面的研究工作。2003年获得中国计算数学学会青年优秀论文一等奖。2017年获得北京大学教学优秀奖(研究生部分)。



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